Cross-beam sansib estrikti apre-CMOS lage metòd pou MEMS vektè idrofòn

Metòd lage CMOS apre estrikti sansib kwa-travès pou idrofòn vektè mems

jaden teknik

1. Envansyon prezan an gen rapò ak jaden an nan semi-conducteurs, an patikilye nan pwoteksyon sidewall nan nitrure Silisyòm ak anisotropik korozyon lage estrikti sansib nan Silisyòm, an patikilye nan yon metòd lage CMOS apre yon estrikti travès kwa sansib oryante nan yon idrofòn vektè mems.

Teknik background:

2. Idwofòn vektè mems la ka detekte enfòmasyon vektè tankou vitès Vibration patikil anba dlo yo, epi yo ka aplike nan platfòm deteksyon anba dlo tankou sistèm sonar, submersibles san ekipe anba dlo, ak boue sonar ki tonbe nan lè a, e pèfòmans li yo te resevwa anpil atansyon. . Mems vektè idrofòn entegre pa cmos ka anpil amelyore pèfòmans nan vektè idrofòn e li gen yon bon pwospè devlopman.

3. Post-CMOS entegrasyon nan konplo entegrasyon cmos la se yon sijè rechèch cho kounye a. Nan konplo sa a, kouman yo sèvi ak pwosesis mems la pou konplete lage estrikti a anba premis pou yo te konpatib ak cmos se yon gwo defi. Nan pwosesis mems tradisyonèl la, fotolitografi yo itilize pou transfere modèl mask la nan wafer Silisyòm lan, ak presizyon fotolitografi nan pwosesis mems la souvan pa bon jan pwosesis cmos la, ak etap fotolitografi yo diminye efikasite pwodiksyon an ak ogmante pri pwodiksyon an. . Li se tou yon pwoblèm ki bezwen etidye reyalize pwodiksyon an mas nan chips.

4. Pou rezoud pwoblèm sa a, ki baze sou estrikti sansib nan idrofòn vektè mems la, envansyon prezan an desine yon metòd lage pòs-cmos mems ki pa mande litografi epi li konpatib ak cmos.

Kontakte nou:

Email: zhang@pride-cnc.com

Tel: plis 86-755-23699351

Mob: plis 8618666663894